晶湛半导体

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关于晶湛

关于晶湛


苏州晶湛半导体有限公司致力于为微波射频和电力电子器件应用领域提供高品质氮化镓外延材料。公司成立于2012年3月,坐落于江苏省苏州工业园区纳米城。2013年8月,晶湛开始在苏州纳米城建设国际先进的GaN外延材料生产线,可年产150mm氮化镓外延片2万片。


由于契合全球半导体产业的发展趋势及其明显的技术优势,公司已先后获得各级政府包括国家“千人计划”、863计划、国家重点研发等项目支持和“国家高新技术企业”、“江苏省民营科技企业”、“江苏省科技型中小企业”、“苏州市技术发明一等奖”等荣誉奖项。同时公司在该领域已掌握多项核心技术, 拥有自主知识产权,截止2016年底在国内外申请了80多项发明专利,并已获得20多项授权。


氮化镓产业发展的一个重点方向是与成本极低,技术成熟度度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,这就要求上游领域能够提供大尺寸的硅基氮化镓外延片材料。晶湛半导体于2014年底在全球首家发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品,经有关下游客户验证,该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能,并填补了国内乃至世界氮化镓产业的空白。公司生产的硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。完美的应力控制技术使得材料的翘曲控制处于业界的领先地位,出色的外延生长技术和良好的品质管控能力确保了外延材料批量化生产的均匀性和一致性。